用于在半导体衬底上产生接触区的方法

摘要

本发明涉及用于在半导体衬底上产生接触区的方法。本发明涉及一种用于产生适于插入接合的形成在其表面上包括一个或多个金属化层叠层的半导体衬底(1)上的凹接触区的方法。使用抗蚀剂层作为掩膜通过等离子体蚀刻在介电层上蚀刻出开口。抗蚀剂材料和等离子体蚀刻参数被选择成由于形成在抗蚀剂孔的侧壁上的聚合物层和在蚀刻步骤期间形成的凹接触开口的受控形成，而获得具有带预定义斜率的斜侧壁的开口。根据一优选实施例，使用化学机械抛光将沉积在凹接触区中和介电层顶部上的金属平面化，从而造成互相隔离的接触区。与现有技术阵列相比，可以产生具有更小节距的这样的区域的阵列。本发明同样涉及可通过本发明的方法获得的组件以及包括这样的组件的封装。

主权项

一种用于在半导体组件上产生凹接触区的方法，所述半导体组件包括半导体衬底(1)上的一个或多个金属化层叠层，所述方法包括以下步骤：‑将介电层(3)沉积在所述叠层的上部金属化层(2)的一个或多个金属区域(5)上并与其相接触，‑将抗蚀剂层(6)沉积在所述介电层(3)上并与其相接触，‑在所述抗蚀剂层中产生一个或多个开口(7)，所述开口位于所述一个或多个金属区域(5)上方，从而暴露出所述介电层(3)的各区域，‑移除所述介电层(3)的所述区域中的介电层，从而在所述介电层(3)中形成开口(8)并在所述开口的底部暴露出所述金属区域(5)的至少各部分，‑剥离所述抗蚀剂层(6)，‑在所述介电层(3)上以及在所述介电层中的所述开口(8)中共形地沉积金属层(10)，‑从所述介电层(3)的平坦上表面的至少一部分中移除所述金属层(10)，金属层保留在所述介电层(3)中的所述开口(8)的底部和侧壁上，其中：‑所述抗蚀剂层(6)中的开口(7)具有基本上垂直的侧壁，‑所述介电层中的开口(8)是通过等离子体蚀刻来产生的，‑所述抗蚀剂材料和所述等离子体工艺被配置成使得：·在所述介电层(3)中的所述开口(8)的形成期间基本上没有发生除气，·在所述开口(8)被蚀刻时，聚合物层(9)被持续形成在所述抗蚀剂开口(7)的侧壁上和所述介电层(3)中的开口(8)的侧壁上，使得所述介电层(3)中的所述开口(8)具有斜侧壁，所述壁的斜率基本上是预定义的，所述聚合物层(9)在所述抗蚀剂剥离步骤期间被移除。