硅晶片电阻率测量装置及方法

摘要

本发明公开了一种硅晶片电阻率测量装置及方法，所述测量装置包括：支架，信号处理器，高频振荡器，所述支架上方设有第一探头，所述支架下方设有第二探头，所述第一探头和第二探头分别与所述高频振荡器连接，还包括调整第一探头与第二探头间相互距离的驱动机构，所述驱动机构与所述第一探头或第二探头连接，所述第一探头和第二探头分别与所述信号处理器连接，本发明极大地提高了涡流电流方法测量硅晶片电阻率所适用的厚度范围以及电阻率范围，而且极大地提高了电阻率测量的准确度。

主权项

一种硅晶片电阻率测量装置，其特征在于，所述测量装置包括：支架，信号处理器，高频振荡器，所述支架上方设有第一探头，所述支架下方设有第二探头，所述第一探头和第二探头分别与所述高频振荡器连接，还包括驱动机构，用于调整第一探头与第二探头间相互距离，所述驱动机构与所述第一探头或第二探头连接，所述第一探头和第二探头分别与所述信号处理器连接。