发明名称 PREVENTION OF GROUND FAULT INTERRUPTS IN A SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM
摘要 <p>L'invention se rapporte à un système de chauffage de socle conçu pour chauffer un socle disposé dans la chambre de traitement d'un système de traitement de substrats. Ledit système comporte une alimentation en énergie du dispositif de chauffage, un transformateur couplé à ladite alimentation du dispositif de chauffage, un élément de chauffage couplé audit transformateur et une électrode de terre R.F. Le transformateur est conçu pour réduire le courant de fuite de l'élément de chauffage vers divers éléments du système de traitement de substrats en localisant les boucles de perte de fuite de courant. L'élément de chauffage et l'électrode de terre R.F. sont disposés à l'intérieur du socle. De préférence, le transformateur est tout simplement un transformateur d'isolation. Lorsqu'une source d'énergie R.F. est mise en oeuvre, tel que cela est le cas dans un système de traitement par dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, il est possible de coupler un filtre anti-perturbation électromagnétique monté entre le transformateur et l'élément de chauffage, ou ailleurs dans la chaîne d'alimentation, de manière à éviter la fuite d'énergie R.F. vers d'autres sous-systèmes du système de traitement de substrats, ou d'autres circuits électroniques de détection couplés à l'alimentation de l'installation.</p>
申请公布号 WO1999045577(A1) 申请公布日期 1999.09.10
申请号 US1999003930 申请日期 1999.02.23
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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