| 发明名称 | 半导体晶粒及其制备方法和检测该半导体晶粒裂缝的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测半导体晶粒裂缝的方法，包含下列步骤：提供半导体晶粒，且该半导体晶粒具有外缘，其中沿着外缘在半导体晶粒上形成导电特征部；加偏压于导电特征部；以及测量半导体结构的漏电流以检测半导体晶粒裂缝的扩散。本发明还提供一种半导体晶粒及其制备方法，该半导体晶粒具有用以检测晶粒裂缝的布局。该半导体晶粒包含具有外缘的晶粒；以及导电特征部，其沿着外缘位于晶粒上，其中外部引脚加偏压于导电特征部。 | ||
| 申请公布号 | CN104282590A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310582255.9 | 申请日期 | 2013.11.19 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 安东尼大卫维斯 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人 | 王正茂;董云海 |
| 主权项 | 一种检测半导体晶粒裂缝的方法，其特征在于，包含：提供半导体晶粒，且该半导体晶粒具有外缘，其中沿着该外缘在该半导体晶粒上形成导电特征部；加偏压于上述导电特征部；以及测量上述半导体晶粒的漏电流以检测该半导体晶粒裂缝。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||