| 发明名称 | 金属层的形成工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属层的形成工艺。该形成工艺包括：步骤S1，在温度T1范围内，在基体表面进行溅射，形成厚度为30nm～100nm的第一金属层，温度T1在400～450摄氏度之间；步骤S2，将具有第一金属层的基体在温度T1下保持100s～300s对第一金属层进行退火；以及步骤S3，在温度T3范围内，在第一金属层的表面进行溅射，形成厚度A为0.1μm～10μm的第二金属层，其中温度T1大于温度T3。该金属层的形成工艺克服了传统溅射方法在金属表面形成凸起物的问题，能够形成光滑的金属表面，进而保证了良好的器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104282536A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410602693.1 | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 | 发明人 | 义夫 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 董文倩;吴贵明 |
| 主权项 | 一种金属层的形成工艺，其特征在于，所述形成工艺包括：步骤S1，在温度T1范围内，在基体表面进行溅射，形成厚度为30nm～100nm的第一金属层，所述温度T1在400～450摄氏度之间；步骤S2，将具有所述第一金属层的所述基体在所述温度T1下保持100s～300s对所述第一金属层进行退火；以及步骤S3，在温度T3范围内，在所述第一金属层的表面进行溅射，形成厚度A为0.1μm～10μm的第二金属层，其中温度T1大于温度T3。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室 | ||