发明名称 |
硅光伏电池的钝化缺陷的光致发光绘图 |
摘要 |
用于快速且准确地对硅晶片中的钝化缺陷进行绘图的方法,包括例如,当在生产线中的传送带上输送晶片时,采集光致发光(PL)图像同时移动晶片。该方法可应用于太阳能电池制造中的硅晶片的在线诊断。示例性实施例包括由单个光致发光强度图像(图)获得整个晶片钝化缺陷图像的过程,并且为工艺控制提供快速的反馈。 |
申请公布号 |
CN104282593A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201410399797.7 |
申请日期 |
2014.07.03 |
申请人 |
塞米拉布SDI有限责任公司 |
发明人 |
J·拉戈斯基;M·D·威尔逊;F·科索斯;G·纳杜德瓦利 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邵亚丽 |
主权项 |
一种检查光伏晶片的方法,包括:利用激发光相继照射晶片的多个照射区域,同时引起所述晶片与照射之间的相对动作;探测来自利用激发光相继照射的晶片的多个探测区域的光致发光光;基于探测到的光致发光光来形成晶片的光致发光强度图;以及基于光致发光强度图识别晶片中的缺陷,并据此确定关于晶片的信息。 |
地址 |
美国佛罗里达州 |