| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部上具有若干横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构两侧具有侧墙；形成覆盖所述鳍部、栅极结构、侧墙和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于栅极结构的顶部表面；刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出相邻栅极结构之间的鳍部表面和侧墙表面；沿所述开口刻蚀所述鳍部，在鳍部中形成凹槽；在所述凹槽内形成源/漏极；在所述开口内形成界面层；在所述界面层表面形成填充满所述第一开口的金属插塞。所述鳍式场效应晶体管的形成方法可以简化工艺步骤，提高所述鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104282566A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310277694.9 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部上具有若干横跨所述鳍部侧壁和顶部的栅极结构，所述栅极结构两侧具有侧墙；形成覆盖所述鳍部、栅极结构、侧墙和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于栅极结构的顶部表面；刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出相邻栅极结构之间的鳍部表面和侧墙表面；沿所述开口刻蚀所述鳍部，在鳍部中形成凹槽；在所述凹槽内形成源/漏极；在所述开口内形成位于所述源/漏极表面和开口内壁表面的界面层；在所述界面层表面形成填充满所述开口的金属插塞，所述界面层使源/漏极和金属插塞之间的势垒降低。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||