| 发明名称 | 用于FinFET技术的感测放大器布局 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于FinFET技术的感测放大器布局。感测放大器(SA)包括具有定义氧化(OD)区的半导体衬底、SA感测器件对、SA使能器件和用于携带感测放大器使能(SAE)信号的SAE信号线。该SA感测器件对具有与SA使能器件相等的多晶硅栅长度Lg，并且它们都共享相同的OD区。当激活时，SAE信号使SA使能器件导通以使SA感测器件对中的一个进行放电，以用于从感测放大器感测数据。 | ||
| 申请公布号 | CN104282324A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410281766.1 | 申请日期 | 2014.06.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈炎辉;田倩绮;林高正;陈蓉萱 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种感测放大器(SA)，包括：半导体衬底，具有定义氧化(OD)区；SA感测器件对，共享相同的OD区，其中，所述SA感测器件对是晶体管并且具有相同的栅长度；SA使能器件，与所述SA感测器件对共享所述相同的OD区；感测放大器使能(SAE)信号线，用于携带SAE信号，从而使SA使能器件导通，以在从所述感测放大器读取数据的过程中使所述SA感测器件对中的一个进行放电。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||