| 发明名称 | 变阻型存储装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种通/断比高的变阻型存储装置。根据一个实施方的变阻型存储装置包括：第一电极，包含第一元素；电阻变化层，设置于所述第一电极上，包含所述第一元素的氧化物；氧传导层，设置于所述电阻变化层上，包含第二元素和氧，具有氧离子传导性，并且其相对介电常数高于所述电阻变化层的相对介电常数；以及第二电极，设置于所述氧传导层上。在使所述第一电极和所述第二电极之间的电压从零连续地增加时，所述电阻变化层在所述氧传导层之前经历电介质击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN104285295A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201380023018.7 | 申请日期 | 2013.03.12 |
| 申请人 | 国立大学法人东京工业大学;东芝高新材料公司 | 发明人 | 角岛邦之;窦春萌;帕尔哈提·艾合买提;岩井洋;片冈好则 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金春实 |
| 主权项 | 一种变阻型存储装置，包括：第一电极，包含第一元素；电阻变化层，设置于所述第一电极上，包含所述第一元素的氧化物；氧传导层，设置于所述电阻变化层上，包含第二元素和氧，具有氧离子传导性，并且其相对介电常数高于所述电阻变化层的相对介电常数；以及第二电极，设置于所述氧传导层上，并且变阻型存储装置被配置为使得在所述第一电极和所述第二电极之间的电压从零连续地增加时，所述电阻变化层先于所述氧传导层经历电介质击穿。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||