发明名称 一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构
摘要 本实用新型公开了一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构,涉及LED技术领域。其结构由下至上依次为:蓝宝石衬底;低温GaN缓冲层;渐变式布拉格反射层(DBR);n型GaN,层;多量子阱发光层;p型AlGaN;p型GaN接触层。本实用新型在蓝光LED外延结构中生长渐变式DBR层,采用渐变式DBR可以反射有源区向下射向衬底的光,使其光路改变向顶部射出。渐变式DBR既能反射小角度入射光又能反射大角度入射光,进而提高发光二极管器件的亮度。该外延结构制备工艺简单、易于实施,便于推广应用。
申请公布号 CN204102924U 申请公布日期 2015.01.14
申请号 CN201420552553.3 申请日期 2014.09.24
申请人 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 发明人 韩蕊蕊;田海军;马淑芳
分类号 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 主分类号 H01L33/10(2010.01)I
代理机构 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人 董芙蓉
主权项 一种带有渐变式DBR结构的蓝光LED外延结构,其特征在于:所述结构由下至上依次为:衬底,低温GaN缓冲层,分布布拉格反射层,n型GaN层,多量子阱发光层,p型AlGaN,p型GaN接触层;所述分布布拉格反射层是渐变式布拉格反射器结构。 
地址 041600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区