| 发明名称 | GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁条形波导电光调制器及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于光电子技术领域，涉及一种改进的基于GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁吸收的近红外通信波段条形波导电光调制器及其制备方法。由底金属电极（1）、导电碳化硅单晶衬底（2）、GaN缓冲层（3）、SiO<sub>2</sub>掩模层（4）、AlGaN下包层（5）、GaN/AlN耦合量子阱周期超晶格波导芯层（6）、AlGaN上包层（7）和金属上电极（8）构成；本发明可以有效降低导波光的传播损耗，同时使后期器件制备工艺大为简化，更有利于器件实用化，也便于实现与其它器件单片集成；另外，由于衬底导电，器件能够采用垂直调制电极结构，使调制电场与波导光场完全重合，最大限度提高调制效率，获得更高器件消光比。 | ||
| 申请公布号 | CN102749726B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201210205531.5 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 吉林大学 | 发明人 | 高福斌;高放;杜国同;殷景志;马艳;吴国光;李万程 |
| 分类号 | G02F1/017(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/017(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人 | 张景林;刘喜生 |
| 主权项 | 一种GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁条形波导电光调制器，其特征在于：由底金属电极（1）、导电碳化硅单晶衬底（2）、GaN缓冲层（3）、SiO<sub>2</sub>掩模层（4）、n‑Si掺杂的AlGaN下包层（5）、GaN/AlN耦合量子阱周期超晶格波导芯层（6）、n‑Si掺杂的AlGaN上包层（7）和金属上电极（8）构成；其中，在SiO<sub>2</sub>掩模层（4）上有沿GaN缓冲层（3）的<img file="FDA00001793142600011.GIF" wi="220" he="50" />方向或<img file="FDA00001793142600012.GIF" wi="217" he="50" />方向的宽度为2~10μm的条形波导窗口，AlGaN下包层（5）、GaN/AlN耦合量子阱周期超晶格波导芯层（6）、AlGaN上包层（7）依次制备在该条形波导窗口中露出的GaN缓冲层（3）上，从而形成侧面为结晶平面的脊形条波导结构。 | ||
| 地址 | 130012 吉林省长春市前进大街2699号 | ||