非易失性半导体存储装置

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储装置。根据实施例的非易失性半导体存储装置包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中在多个第一线与多个第二线的每个交叉处上设置一个存储单元，每个存储单元根据纤丝的状态存储数据；以及控制电路，其执行将数据写入所述存储单元的写入序列，所述写入序列包括：置位步骤，其将置位脉冲施加到所述存储单元，所述置位脉冲具有第一极性；以及去除步骤，其将去除脉冲施加到所述存储单元，所述去除脉冲具有不同于所述第一极性的第二极性；并且所述控制电路在执行所述写入序列期间重复执行所述置位步骤，直到所述存储单元达到期望的状态，然后执行所述去除步骤。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，包括：存储单元阵列，其包括多个第一线、与所述多个第一线交叉的多个第二线、以及多个存储单元，其中在所述多个第一线与所述多个第二线的每个交叉处上设置一个存储单元，每个存储单元根据纤丝的数据存储状态存储数据；和控制电路，其被配置为执行将数据写入所述存储单元的写入序列，所述写入序列包括：置位操作，其将具有第一极性的置位脉冲施加到所述存储单元；和去除操作，其将具有与所述第一极性相反的第二极性的去除脉冲施加到所述存储单元；并且所述控制电路在执行所述写入序列期间被配置为重复执行所述置位操作，直到所述存储单元达到期望的数据存储状态，然后执行所述去除操作。