| 发明名称 | 带有器件隔离区的半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成带有器件隔离区的半导体结构的方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底中形成第一沟槽，在所述第一沟槽内填充第一绝缘层，使该第一绝缘层在半导体衬底的上表面露出；在所述半导体衬底的上表面生长外延层，该外延层覆盖半导体衬底的整个上表面；刻蚀该外延层以形成暴露所述第一绝缘层的第二沟槽，该第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；在所述第二沟槽内填充第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层形成所述器件隔离区。本发明还提供了一种相应的半导体结构。实施本发明，可提升半导体器件工作的稳定性，也可提升半导体器件的工作性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104282615A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310282901.X | 申请日期 | 2013.07.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种形成带有器件隔离区的半导体结构的方法，包括：a）提供半导体衬底；b）在该半导体衬底中形成第一沟槽，在所述第一沟槽内填充第一绝缘层，使该第一绝缘层在半导体衬底的上表面露出；c）在所述半导体衬底的上表面生长外延层，该外延层覆盖半导体衬底的整个上表面；d）刻蚀该外延层以形成暴露所述第一绝缘层的第二沟槽，该第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；e）在所述第二沟槽内填充第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层形成所述器件隔离区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||