制造具有器件分离结构的半导体器件的方法及半导体器件

摘要

公开了制造具有器件分离结构的半导体器件的方法及半导体器件。一种制造半导体器件的方法，包括：至少将包括阵列沟槽的第一沟槽图案和第二沟槽图案从第一表面引入到半导体衬底中，其中，所述半导体衬底的阵列隔离部分分离所述第一沟槽图案和第二沟槽图案。在距所述第一表面的一定距离处的所述第一沟槽图案和第二沟槽图案中提供掩埋栅极电极结构。在单个蚀刻处理中，将具有第一宽度的器件分离沟槽引入到所述阵列隔离部分中，并且将至多具有比所述第一宽度更小的第二宽度的单元分离沟槽引入到所述各阵列沟槽之间的半导体翅片中。可以在通过成本有效的方式形成同一半导体管芯中所集成的开关器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：至少将第一沟槽图案和第二沟槽图案从第一表面引入到半导体衬底中，其中，所述沟槽图案包括阵列沟槽，并且其中，所述半导体衬底的阵列隔离部分分离所述第一沟槽图案和第二沟槽图案；在所述第一沟槽图案和第二沟槽图案中提供掩埋栅极电极结构；以及在单个蚀刻处理中，将具有第一宽度的器件分离沟槽引入到所述阵列隔离区域中，并且将至多具有比所述第一宽度更小的第二宽度的单元分离沟槽引入到各阵列沟槽之间的半导体翅片中。