| 发明名称 | 半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 对导入到反应腔室(10)内的第1气体进行等离子体化，在半导体晶片(20)上刻蚀沟槽(22)。对导入到上述反应腔室(10)内的第2导入气体进行等离子体化，在上述沟槽(22)的壁面形成保护膜(23)。对导入到上述反应腔室(10)内的第3导入气体进行等离子体化，将形成在上述沟槽(22)的底面的上述保护膜(23)除去。在除去了形成在上述沟槽(22)的底面的保护膜(23)后，将上述反应腔室(10)内排气。 | ||
| 申请公布号 | CN104285283A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201380024233.9 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 小田洋平;野田理崇 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐冰冰;黄剑锋 |
| 主权项 | 一种半导体基板的制造方法，其特征在于，将在表面形成有实施了规定的图案化的掩膜件(21)的半导体晶片(20)向反应腔室(10)内导入，向上述反应腔室(10)内导入第1气体，对该第1导入气体进行等离子体化而处理上述半导体晶片(20)，从而按照上述掩膜件(21)的图案在上述半导体晶片(20)上蚀刻沟槽(22)，向上述反应腔室(10)内导入第2导入气体，对该第2导入气体进行等离子体化而处理上述半导体晶片(20)，从而在上述沟槽(22)的壁面形成保护膜(23)，向上述反应腔室(10)内导入第3导入气体，对该第3导入气体进行等离子体化而处理上述半导体晶片(20)，从而将形成在上述沟槽(22)的底面的保护膜(23)除去，在上述半导体晶片(20)上残留有上述掩膜件(21)的状态下，通过重复进行上述沟槽(22)的刻蚀、上述保护膜(23)的形成、和形成在上述沟槽(22)的底面的保护膜(23)的除去，将上述沟槽(22)逐渐深挖，在除去了形成在上述沟槽(22)的底面的保护膜(23)后，将上述反应腔室(10)内的排气至少执行一次。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||