| 发明名称 | 具有增加的沟道外围的金属氧化物半导体（MOS）器件及制造的方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件包括设置在衬底上的漂移层。漂移层具有非平面表面，所述非平面表面具有平行于半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征。此外，每一个重复特征具有比漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104282758A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410310922.2 | 申请日期 | 2014.07.02 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | A.V.博罗特尼科夫;P.A.罗西 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;姜甜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：漂移层，被设置在衬底上，其中所述漂移层包括非平面表面，所述非平面表面包括平行于所述半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征，并且其中，所述重复特征中的每一个特征具有比所述漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||