| 发明名称 | 碘系偏振薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的碘系偏振薄膜的特征在于，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在1.9～3重量％/2.85mm<sup>3</sup>的范围内，在单片透射率为43～45％的范围内时波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度A1之比(A2/A1)为1.16以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102177449B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN200980139892.0 | 申请日期 | 2009.10.27 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 并森木尼日丁;水岛洋明 |
| 分类号 | G02B5/30(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种碘系偏振薄膜的制造方法，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向的碘系偏振薄膜的制造方法，且其包括以下工序：染色工序，通过使所述高分子薄膜浸渍在含碘溶液中而使碘吸附于该高分子薄膜中，在该工序中，不进行在含碘溶液中的高分子薄膜的单轴拉伸；拉伸工序，从所述溶液中取出染色后的所述高分子薄膜，在该状态下，不加热所述高分子薄膜，以1.2～1.8倍的拉伸倍率进行单轴拉伸；交联工序，通过将所述单轴拉伸后的高分子薄膜浸渍在交联浴中，使该高分子薄膜交联。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||