| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，在形成在相邻的像素电极(或元件的电极)之间的布线下方形成具有多栅结构的TFT的沟道形成区域。另外，将多个沟道形成区域的沟道宽度的方向设定为与在所述像素电极形状中的长边方向平行。另外，通过使沟道宽度的长度大于沟道长度的长度，来扩大沟道形成区域的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102522373B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201210004871.1 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 佐藤瑞季 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：衬底；在所述衬底上彼此相邻的多个像素电极；在所述衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一沟道形成区域、第二沟道形成区域、以及连接所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域的杂质区域；在所述薄膜晶体管上的绝缘层；以及在所述绝缘层上且在所述多个像素电极之间的电源供给线，其中，所述电源供给线与所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域重叠。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||