步进分析方法和系统

摘要

一种步进分析方法包括：产生一线光掩模，包括第一及第二边角光掩模，用以遮蔽在晶片表面上的第一四方形区，第三边角光掩模，用以遮蔽在晶片表面上的一第二四方形区，其中第一四方形区大于第二四方形区，以及第四边角光掩模，用以使得第三四方形区曝光，其中第三四方形区小于第二四方形区；以及使用测量装置，根据线光掩模上重叠曝光的边角，产生在晶片表面上进行线光掩模步进时的多个对准调整值。

主权项

1.一种步进分析方法，用以在对一具有光致抗蚀剂覆盖的晶片表面进行曝光时，作为分析一十字线光掩模的步进过程的方法，该步进分析方法包括：产生一十字线光掩模，包括：一第一及第二边角光掩模，用以遮蔽在该晶片表面上的一第一四方形区，一第三边角光掩模，用以遮蔽在该晶片表面上的一第二四方形区，其中该第一四方形区大于该第二四方形区，以及一第四边角光掩模，用以使得一第三四方形区曝光，其中该第三四方形区小于该第二四方形区；以及使用一测量装置，根据该十字线光掩模上重叠曝光的边角，产生在该晶片表面上进行十字线光掩模步进时的多个对准调整值。