| 发明名称 | 功率半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括：半导体衬底；有源器件区，其置于所述半导体衬底中；边缘终端区，其置于所述有源器件区与所述半导体衬底的横向边缘之间的所述半导体衬底中；以及硫族元素掺杂原子区，其置于邻近所述半导体衬底的所述横向边缘的所述边缘终端区中。 | ||
| 申请公布号 | CN104282685A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410459730.8 | 申请日期 | 2012.06.04 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 格哈德·施密特 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件，包括：半导体衬底；有源器件区，其置于所述半导体衬底中；边缘终端区，其置于所述有源器件区与所述半导体衬底的横向边缘之间的所述半导体衬底中；以及硫族元素掺杂原子区，其置于邻近所述半导体衬底的所述横向边缘的所述边缘终端区中。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||