| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：衬底；在衬底内形成的第一有源区域，并且第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域以及具有比第一宽度大的第二宽度的第二区域，并且第一有源区域沿第一方向延伸；在衬底内形成的第二有源区域，平行于第一有源区域的第二区域延伸；以及在衬底内形成的元件隔离绝缘膜，分别隔开第一有源区域和第二有源区域，其中第一有源区域的第二区域或第二有源区域包括在平面视图内沿垂直于第一方向的第二方向凹进的凹进部。本发明能够防止元件隔离绝缘膜内产生空隙。 | ||
| 申请公布号 | CN104282681A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410307590.2 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 安田真;江间泰示;堀充明;藤田和司 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 金鹏;张浴月 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底内形成的第一有源区域，所述第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域和具有比所述第一宽度大的第二宽度的第二区域，且所述第一有源区域沿第一方向延伸；在所述衬底内形成的第二有源区域，平行于所述第一有源区域的第二区域延伸；以及在所述衬底内形成的元件隔离绝缘膜，分别隔开所述第一有源区域和所述第二有源区域，其中所述第一有源区域的第二区域或所述第二有源区域包括在平面视图内沿垂直于所述第一方向的第二方向凹进的凹进部。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||