发明名称 场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
摘要 本发明公开了一种FS型RC-IGBT,包括终端结构和有源区,场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底,衬底的背面设有N型的电场终止层,电场终止层背离衬底的一面设有背面N型结构和背面P型结构,背面N型结构被背面P型结构分隔成多个相互分离的区域,背面N型结构的掺杂浓度大于电场终止层的掺杂浓度,背面N型结构和背面P型结构的表面设有背面金属层;只有有源区内形成有背面N型结构。本发明还涉及一种FS型RC-IGBT的制造方法。本发明终端结构内无背面N型结构,二极管导通时只有少部分空穴流过终端结构内的漂移区,减小了内置二极管恢复时恢复电流的大小,改善了二极管的反向恢复能力。
申请公布号 CN104282741A 申请公布日期 2015.01.14
申请号 CN201310283363.6 申请日期 2013.07.05
申请人 无锡华润上华半导体有限公司 发明人 张硕;芮强;邓小社;王根毅
分类号 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 主分类号 H01L29/739(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 邓云鹏
主权项 一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管,包括外围的终端结构和被所述终端结构包围的有源区,所述场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底,所述衬底的背面设有N型的电场终止层,所述电场终止层背离所述衬底的一面设有背面N型结构和背面P型结构,所述背面N型结构被所述背面P型结构分隔成多个相互分离的区域,所述背面N型结构的掺杂浓度大于所述电场终止层的掺杂浓度,所述背面N型结构和背面P型结构背离所述衬底的表面设有背面金属层;其特征在于,只有所述有源区内形成有所述背面N型结构,所述终端结构内不设置所述背面N型结构。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号