发明名称 |
一种晶片研磨方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶片研磨方法,通过塑料薄膜的使用可以研磨出具有微凹或者微凸等特殊形状的晶片,满足某些客户的特定工艺需求。并且所选用的塑料薄膜的成本极低,生产操作简单,适于工业生产。同时可以根据客户的不同需求选择具有不同形状和数量的塑料薄膜来改变晶片的凹凸程度,具有极大地灵活性。 |
申请公布号 |
CN104282545A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201410546452.X |
申请日期 |
2014.10.15 |
申请人 |
易德福 |
发明人 |
易德福;吴城 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;B24B37/11(2012.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种晶片研磨方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将n层厚度在微米级的塑料薄膜贴覆在陶瓷盘上,其中n为大于或者等于1的整数,所述塑料薄膜为圆形的;S2:以所述塑料薄膜的圆心为中心贴上晶片模板;S3:将晶片贴在所述晶片模板上,进行研磨和抛光,其中所述晶片模板与所述晶片的直径大小相等。 |
地址 |
100000 北京市海淀区上园村3号院2003届研究生机电学院 |