| 发明名称 | 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源 | ||
| 摘要 | 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源，该离子源包括腔体、氩进气管、氦进气管、金属靶材和喷口。金属靶材位于靠近飞行时间质谱的一侧，氩进气管和氦进气管在金属靶材的两端，腔体与飞行时间质谱相邻的一侧有1个凸向腔体的喷口。本发明将磁控溅射离子源与飞行时间质谱相结合，测试样品时，氩气经进气管进入腔体后被电离，电离的氩气离子快速的轰击金属靶材表面，产生金属等离子体，金属等离子体由氦气载带，由喷口喷出形成团簇离子，进入高分辨飞行时间质谱，最后探测器探测得到尺寸范围很宽的离子团簇飞行时间质谱图。本发明可适用于各种金属大尺寸团簇离子的成分分析。 | ||
| 申请公布号 | CN104282526A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310291516.1 | 申请日期 | 2013.07.11 |
| 申请人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明人 | 唐紫超;秦正波;张世宇 |
| 分类号 | H01J49/10(2006.01)I;H01J49/14(2006.01)I | 主分类号 | H01J49/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源，其特征在于：该离子源包括腔体（1）、氩进气管（2）、氦进气管（3）、金属靶材（4）、喷口（5）；金属靶材（4）位于靠近飞行时间质谱的一侧，氩进气管（2）和氦进气管（3）在金属靶材（4）的两端，腔体（1）与飞行时间质谱相邻的一侧有1个凸向腔体的喷口（5）。 | ||
| 地址 | 116023 辽宁省大连市中山路457号 | ||