一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法

摘要

本发明涉及一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法，将水溶性的金属无机或有机盐任意的一种或几种，和硫源或硒源的一种或两种组合搭配溶于去离子水与低沸点醇混合溶剂中，形成清澈透明的前驱体溶液。将所制备得到的前驱体溶液以真空辅助吸附方式灌注于半导体氧化物薄膜光阳极中，随后真空干燥。然后利用水热蒸汽法对吸附前驱体的光阳极进行低温处理，使得对应的量子点得以在光阳极原位生成，获得的量子点敏化氧化物半导体光阳极具有量子点附载量高且分布均匀、制备工艺合理且可重复性较好的特点，因此具有广阔的应用前景。

主权项

一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：将水溶性的金属无机或有机盐的一种或几种和硫源或硒源的一种或两种组合，溶于去离子水与低表面张力醇的混合溶剂中，形成前驱体溶液；第二步：利用真空辅助吸附的方式将前驱体溶液吸附于光阳极材料中，随后真空干燥；第三步：将吸附了前驱体的光阳极置于水热反应釜中的小烧杯上，小烧杯中加入氨水溶液，密封于水热反应釜中加热，取出样品用去离子水清洗即可得到量子点敏化光阳极。