| 主权项 |
1.一种形成电装置的方法,包含:形成一半导体膜在基底之绝缘表面之上;将该半导体膜图样化至位在主动矩阵电路区以及周边驱动电路区中之半导体岛;在该半导体岛上个别形成闸电极;在每个该半导体岛中形成源极区以及汲极区以及通道区,而该通道区系位在该源极区以及该汲极区之间;以及将半导体积体电路晶片接合在该基底上。2.一种形成一电装置之方法,包含:将一主动电路薄膜电晶体以及一周边驱动电路薄膜电晶体形成在基底之绝缘表面;以及将半导体积体电路晶片接合在该基底之上,其中该主动矩阵电路薄膜电晶体以及该周边驱动电路薄膜电晶体系以如下而形成:形成一半导体于该基底之该绝缘表面之上;将该半导体膜图样化至至少该主动矩阵电路薄膜电晶体以及该周边驱动电路薄膜电晶体之半导体岛;个别形成闸电极在该半导体岛之上;以及形成一源极区以及一汲极区以及一通道区于每个该半导体岛中,而该通道区系位在该源极区以及该汲极区。3.一种形成一电装置之方法,包含:形成一半导体膜在基底之绝缘表面上;将该半导体膜图样化至位在主动矩阵电路区以及周边驱动电路区中之半导体岛;在该半导体岛上个别形成闸电极;在每个该半导体岛中形成源极区以及汲极区以及通道区,而该通道区系位在该源极区以及该汲极区之间;以及将半导体积体电路晶片接合在该基底上;其中该半导体基底电路晶片系使用在更正记忆体、记忆体、中央处理单元或输入埠。4.一种形成一电装置之方法,包含:将一主动电路薄膜电晶体以及一周边驱动电路薄膜电晶体形成在基底之绝缘表面;以及将半导体积体电路晶片接合在该基底之上,其中该主动矩阵电路薄膜电晶体以及该周边驱动电路薄膜电晶体系以如下而形成:形成一半导体于该基底之该绝缘表面之上;将该半导体膜图样化至至少该主动矩阵电路薄膜电晶体以及该周边驱动电路薄膜电晶体之半导体岛;个别形成闸电极在该半导体岛之上;以及形成一源极区以及一汲极区以及一通道区于每个该半导体岛中,而该通道区系位在该源极区以及该汲极区;其中该半导体基底电路晶片系使用在更正记忆体,记忆体、中央处理单元或输入埠。5.一种形成一电装置之方法,包含:形成一第一闸电极在一绝缘表面之上;形成一第一闸绝缘膜在该第一闸电极之上;形成一半导体膜在该第一闸绝缘膜之上;形成一第二闸绝缘膜在该半导体膜之上;形成一第二闸电极在该第二闸绝缘膜之上;形成一源极区以及汲极区在该半导体膜中,而一同道区系形成在该半导体中之该源极区以及该汲极区之间,使得该源极区以及该汲极区在该第一闸电极处重叠。6.一种形成一电装置之方法,包含:形成一第一闸电极在一绝缘表面之上;形成一第一闸绝缘膜在该第一闸电极之上;形成一半导体膜在该第一闸绝缘膜之上;形成一第二闸绝缘膜在该半导体膜之上;形成一第二闸电极在该第二闸绝缘膜之上;形成一源极区以及汲极区在该半导体膜中,而一通道区系形成在该半导体中之该源极区以及该汲极区之间,使得该源极区以及该汲极区在该第一闸电极处重叠;至少形成一金属膜在该源极区以及该汲极区之上;藉由以热或光而将该金属膜以及该半导体膜部份反应而三明治重叠该通道区以形成金属矽化物区;以及移除在反应后仍存在于金属状态之部分该金属膜。7.一种形成一电装置之方法,包含:形成一第一闸电极在一绝缘表面之上;形成一第一闸绝缘膜在该第一闸电极之上;形成一包含矽之半导体膜在该第一闸绝缘膜之上;形成一第二闸绝缘膜在该半导体膜之上;形成一第二闸电极在该第二闸绝缘膜之上;形成一源极区以及汲极区在该半导体膜中,而一通道区系形成在该半导体中之该源极区以及该汲极区之间;至少形成一金属膜在该源极区以及该汲极区之上;藉由以热或光而将该金属膜以及该半导体膜部份反应而三明治重叠该通道区以形成金属矽化物区;以及移除在反应后仍存在于金属状态之部分该金属。图式简单说明:第一图是光电装置的方块图;第二图显示线接合的例子;第三图是本发明之实施例1和2之液晶显示器面板的示意图;第四图A和第四图B显示FCOG的例子;第五图A至第五图G显示实施例3之TFT电路基底的制程;第六图A至第六图G显示实施例4之TFT电路基底的制程;第七图A至第七图G显示实施例5之TFT电路基底的制程;第八图A至第八图I和第九图A至第九图I显示实施例6之TFT电路的制路;第十图A至第十图C分别是实施例6之TFT电路的上视图、剖面图、电路配置图;第十一图A至第十一图D显示实施例7之TFT电路基底的制程。 |
