发明名称 高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置
摘要 本发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备,并且在基材透光率约92%的情况下,所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%,面阻可低至100Ω/□。
申请公布号 CN102994980B 申请公布日期 2015.01.14
申请号 CN201210539154.9 申请日期 2012.12.13
申请人 苏州汉纳材料科技有限公司 发明人 陈新江
分类号 C23C16/448(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C23C16/448(2006.01)I
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人 王锋
主权项 一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法,其特征在于,包括:利用浮动催化裂解法制备碳纳米管气溶胶,包括:将碳源、催化剂及生长促进剂通过载气输入管式炉,在温度为1250‑1600℃的条件下将碳源催化裂解生成碳纳米管气溶胶,所述碳源至少选自苯、甲苯、甲烷、一氧化碳和正己烷之中的任意一种,所述催化剂包括二茂铁和/或二茂镍,所述生长促进剂包括噻吩和/或硫粉,所述载气至少选自氮气、氢气和氩气中的任意一种;将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内;以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到以设定速度沿切向与所述狭缝相对运动的基底上,从而在基底上形成连续的高导电碳纳米管薄膜。
地址 215125 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-508