发明名称 |
一种空间高能电子探测器 |
摘要 |
本发明公开了一种空间高能电子探测器。使用本发明能够对空间3.0~30.0MeV的高能电子进行探测。本发明的空间高能电子探测器,包括探头外壳、挡光片、半导体探测器I、半导体探测器II和半导体探测器III、一块CsI(Tl)闪烁体和两块光电二极管,将金硅面垒探测器和CsI(Tl)探测器进行组合,并利用光电二极管来耦合CsI(Tl)探测器。一方面,由于CsI(Tl)探测器易加工,可以制作厚度很大的传感器,能满足对高能量电子的探测需求;另一方面,与光电倍增管相比,采用光电二极管耦合CsI(Tl)探测器,可大大减小探测器的体积和重量,这对星用载荷来说具有重要的工程意义。 |
申请公布号 |
CN104280759A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201410450252.4 |
申请日期 |
2014.09.05 |
申请人 |
兰州空间技术物理研究所 |
发明人 |
把得东;薛玉雄;杨生胜;安恒;冯展祖 |
分类号 |
G01T1/16(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I |
主分类号 |
G01T1/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京理工大学专利中心 11120 |
代理人 |
付雷杰;杨志兵 |
主权项 |
一种空间高能电子探测器,其特征在于,包括探头外壳(2)、挡光片(3)、半导体探测器I(4)、半导体探测器II(7)和半导体探测器III(11)、一块CsI(Tl)闪烁体(9)和两块光电二极管(10);其中,挡光片(3)为圆形镀铝薄膜;半导体探测器II(7)和半导体探测器I(4)为全耗尽型金硅面垒探测器;CsI(Tl)闪烁体(9)为圆柱体,CsI(Tl)闪烁体(9)的外圆周面上加工出两个平行的安装平面分别固定安装光电二极管(10);半导体探测器III(11)为部分耗尽型金硅面垒探测器;挡光片(3)、半导体探测器I(4)、半导体探测器II(7)、CsI(Tl)闪烁体(9)和半导体探测器III(11)按照上下次序同轴固定安装在探头壳体(2)内部;信号线缆(15)一端与半导体探测器III(11)、半导体探测器II(7)、半导体探测器I(5)、2个光电二极管(10)连接,一端与信号输出接口(14)连接。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |