与CMOS工艺兼容的沟道隔离的原生器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种与CMOS工艺兼容的沟道隔离的原生器件，在p型硅衬底内部新增深n阱以实现沟道与衬底的隔离，同时在深n阱之上且在源漏注入区之下新增p型轻掺杂漏注入区以实现源漏注入区与深n阱的隔离。本申请沟道隔离的原生器件与沟道隔离的一般MOSFET相似，仍然以深n阱作为沟道和衬底之间的隔离，并将CMOS工艺中PMOS的p型输入输出区新增到沟道隔离的原生NMOS器件中，用来隔离源漏和深n阱，既实现器件0伏左右的阈值电压，又避免了源漏通过深n阱的短路现象。

主权项

一种与CMOS工艺兼容的沟道隔离的原生器件，其特征是，在p型硅衬底内部新增深n阱以实现沟道与衬底的隔离，同时在深n阱之上且在源漏注入区之下新增p型轻掺杂漏注入区以实现源漏注入区与深n阱的隔离。