| 发明名称 | 包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法，也就是提供一种半导体设备及用于制造半导体设备的方法。在一个实施例中，用于制造半导体设备的方法包括在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层以形成凹陷式波导层区段。脊部结构锗(Ge)光侦测器覆于凹陷式波导层区段的一部分上而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104282794A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410331190.5 | 申请日期 | 2014.07.11 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | P·R·维尔马;洪家伟 |
| 分类号 | H01L31/113(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/113(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体设备的方法，该方法包含：在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层，以形成凹陷式波导层区段；以及形成覆于该凹陷式波导层区段的一部分上的脊部结构锗Ge光侦测器。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||