| 发明名称 | 等离子体处理装置的清洁方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之后，在腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。本发明提供了一种安全可靠有效的等离子体腔室清洁方法，并且能够提高静电夹盘寿命，节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104282519A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310294705.4 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 王兆祥;苏兴才 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之后，在腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||