| 主权项 |
1.一种无水单核参(-二酮酸根)铋。2.一种无水单核参(-二酮酸根)铋错合物,其中该-二酮酸根配合基系选自包括:2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根;1,1,1-三氟-2,4-戊二酮酸根;1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮酸根;6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛二酮酸根;2,2,7-三甲基-3,5-辛二酮酸根;1,1,1,5,5,6,6,7,7,7-十氟-2,4-庚二酮酸根;及1,1,1-三氟-6-甲基-2,4-庚二酮酸根。3.一种无水单核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋。4.参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋具有熔点约139℃。5.参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋,其具有第四图所示之X光晶相学结构。6.一种合成无水单核参(-二酮酸根)铋错合物之方法,包含对应Na(-二酮酸根)化合物与三卤化铋化合物于质子惰性溶剂介质于无氧条件下反应足够时间及于足够温度下反应而获得无水单核参(-二酮酸根)铋错合物做为反应产物。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该质子惰性溶剂介质包含选自烷类,脂族醚类,环状醚类及芳基化合物之溶剂。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该质子惰性溶剂介质包含选自戊烷,辛烷,癸烷,四氢喃,苯及甲苯之溶剂。9.如申请专利范围第6项之方法,其中Na(-二酮酸根)化合物包含一种-二酮酸根部份选自包括:2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根;1,1,1-三氟-2,4-戊二酮酸根;1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮酸根;6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛二铜酸根;2,2,7-三甲基-3,5-辛二酮酸根;1,1,1,5,5,6,6,7,7,7-十氟-2,4-庚二酮酸根;及1,1,1-三氟-6-甲基-2,4-庚二酮酸根。10.如申请专利范围第6项之方法,其中三卤化铋化合物为BiCl3。11.一种合成无水单核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋之方法,包含Na(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)与BiCl3于质子惰性溶剂介质于无氧条件下反应。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该资子惰性溶剂介质包含选自烷类,脂族醚类,环状醚类及芳基化合物之溶剂。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该质子惰性溶剂介质包含选自成烷,辛烷,癸烷,四氢喃,苯及甲苯之溶剂。图式简单说明:第一图及第二图为参考文献(先前技术)对双核铋错合物[Bi(thd)3]2之X光晶相学结构说明,该错合物为结晶白色固体,熔点117℃。第三图为先前技术代表性双核铋错合物[Bi(thd)3]2之前驱物传热(TGA)及熔点(DSC)曲线图。第四图为本发明之无水单核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋错合物之X-光晶相学结构说明。此种材料表示新型Bi(thd)3。第五图为本发明之无水单核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋错合物之熔点(DSC)曲线图,熔点约139℃。第六图为本发明之无水单核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋错合物之熔点(DSC)曲线图,(曲线A)为〝新〞合成条件,(曲线B)为暴露于空气/水气48小时后及(曲线C)为暴露于空气/水气96小时后,显示无水单核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋错合物暴露于空气/水气96小时后完全转化成较低熔点之双核参(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸根)铋错合物[Bi(thd)3]2。 |
