半导体器件

摘要

提供的是包括耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的半导体器件。在半导体器件中，为了提供具有增强的温度特性或模拟特性而没有通过电路的添加而增加半导体器件面积的基准电压生成电路，形成具有彼此不同浓度的耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的阱区。

主权项

一种半导体器件，包括基准电压生成电路，所述基准电压生成电路包括： 在具有第一杂质浓度的第一阱中形成的增强型金属‑氧化物‑半导体MOS晶体管；和 在具有与所述第一阱的所述第一杂质浓度不同的第二杂质浓度的第二阱中形成的耗尽型MOS晶体管，其中所述晶体管的温度特性通过改变相应阱的杂质浓度而调整， 其中所述耗尽型MOS晶体管具有沟道区和耗尽区，所述沟道区具有与所述第二阱相反的导电性，所述耗尽区由所述沟道区和所述第二阱之间形成的PN结来产生。