| 发明名称 | Cu(In，Ga)X<sub>2</sub>的薄膜的阴极溅射沉积 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于沉积分子式为Cu(In，Ga)X<sub>2</sub>的半导体材料膜的方法和设备，其中X为S或Se。本发明的方法包括由至少一个溅射靶阴极溅射沉积Cu、In和Ga至衬底的至少一个表面上，而且包括在阴极腔室内将气相的X沉积在所述表面上。气体形式的X或者X的前体以第一气体层流的形式移动，其移动路径平行于所述衬底的所述表面，并且第一气体层流与所述衬底接触，同时惰性气体以第二气体层流的形式移动，其移动路径平行于第一气体层流并且位于第一气体层流和溅射靶表面之间，这样使得将第一气体层流限制在衬底周围的区域成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN102782177B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201080061012.5 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 原子能和替代能源委员会 | 发明人 | S·珀劳德;J·杜福科;弗雷德里克·盖拉德;塞巴斯蒂安·诺埃尔;伊曼纽尔·鲁维尔 |
| 分类号 | C23C14/00(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 武晨燕;张颖玲 |
| 主权项 | 一种设备，用于将Cu(In，Ga)X<sub>2</sub>的膜沉积在衬底的至少一个表面上，其中X为Se或S或其混合物，包括阴极溅射腔室(1)，所述设备包括：‑衬底保持架(6)，‑用于加热衬底保持架的装置，‑至少一个溅射靶保持架(7)，所述衬底保持架(6)设置在至少一个溅射靶保持架(7)的对面并与所述至少一个溅射靶保持架(7)分隔开，‑第一注入管(3)，用于注入包含蒸汽形式的X或X的前体的第一惰性气体层流，其特征在于，所述设备进一步包括用于注入第二惰性气体层流的第二注入管(4)，所述第二注入管在所述腔室(1)内的入口孔位于所述第一注入管(3)在所述腔室(1)内的入口孔和所述至少一个靶保持架(7)之间，使得经由所述第二注入管(4)的入口孔进入的所述第二惰性气体层流平行于包含蒸汽形式的X或X的前体的所述第一惰性气体层流，并将包含蒸汽形式的X或X的前体的所述第一惰性气体层流限制在所述衬底保持架(6)周围的区域。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||