发明名称 高压元件及其制造方法
摘要 本发明提出一种高压元件及其制造方法,高压元件形成于第一导电型基板中,高压元件包含:第二导电型埋层,形成于第一导电型基板中;第一导电型井区,由剖视图视之,第一导电型井区介于基板上表面与第二导电型埋层之间;以及第二导电型井区,与第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接,其中,第二导电型井区包括井区下表面,其具有第一部分与第二部分,第一部分位于第二导电型埋层上方,并与第二导电型埋层电性耦接,且第二部分不在第二导电型埋层上方,并与第一导电型基板形成PN接面。
申请公布号 TWI469349 申请公布日期 2015.01.11
申请号 TW100124959 申请日期 2011.07.14
申请人 立錡科技股份有限公司 新竹县竹北市台元街20号5楼 发明人 黄宗义;朱焕平
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 任秀妍 新竹市光复路2段481号9楼
主权项 一种高压元件,形成于一第一导电型基板中,该第一导电型基板具有一基板上表面,该高压元件包含:一第二导电型埋层,形成于该第一导电型基板中;一第一导电型井区,形成于该基板上表面下方,且由剖视图视之,该第一导电型井区介于该基板上表面与该第二导电型埋层之间;以及一第二导电型井区,形成于该基板上表面下方,该第二导电型井区具有一第一侧延伸至该高压元件中之一闸极下方,以及一第二侧延伸超过该高压元件中之一汲极下方,且该第二导电型井区与该第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接,其中,该第二导电型井区包括一井区下表面,且该井区下表面具有第一部分与第二部分,该第一部分位于该第二导电型埋层上方,并与该第二导电型埋层电性耦接,且该第二部分不在该第二导电型埋层上方,并与该第一导电型基板形成PN接面;其中该第二导电型井区包括一区域,位于该汲极下方,当该高压元件操作于一不导通状况下,该区域大致上空乏。
地址 新竹县竹北市台元街20号5楼