高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法

摘要

一种高密度沟槽式功率半导体结构之制造方法，包括下列步骤：形成至少一闸极沟槽于一矽基材内；形成一闸极氧化层覆盖该矽基材之裸露表面；形成一闸极多晶矽结构于该闸极沟槽内；形成一绝缘层于该闸极沟槽内并且覆盖该闸极多晶矽结构；形成具有一第一导电型之一本体区；接下来，植入第二导电型之掺杂物于该本体区内，用以形成一源极掺杂区；移除部份该闸极氧化层与该绝缘层，以裸露该闸极多晶矽结构与该源极掺杂区之表面；随后，形成一绝缘结构于该闸极沟槽之侧壁，该绝缘结构具有一预定厚度；接下来，沉积一金属层于该闸极多晶矽结构与该源极掺杂区之表面，并施以一热制程，以形成该第一自对准金属矽化物层于该闸极多晶矽结构之表面与该第二自对准金属矽化物层于该源极掺杂区之表面；形成一介电结构于该第一自对准金属矽化物层上；最后，形成一源极金属层于该介电结构与该第二自对准金属矽化物层上；其中，该绝缘结构，用以形成一适当距离于该第一自对准金属矽化物层与该第二自对准金属矽化物层之间。

主权项

一种高密度沟槽式功率半导体结构之制造方法，包括下列步骤：形成至少一闸极沟槽于一矽基材内；形成一闸极氧化层覆盖该矽基材之裸露表面；形成一闸极多晶矽结构于该闸极沟槽内；形成一绝缘层于该闸极沟槽内并且覆盖该闸极多晶矽结构；形成一缓冲绝缘层于该绝缘层上与该矽基材内上，其中该缓冲绝缘层的厚度介于200至300埃；形成具有一第一导电型之一本体区；植入一第二导电型之掺杂物于该本体区内，用以形成一源极掺杂区；移除部份该闸极氧化层与该绝缘层，以裸露该闸极多晶矽结构与该源极掺杂区之表面；形成一绝缘结构于该闸极沟槽之侧壁，该绝缘结构具有一预定厚度；沉积一金属层于该闸极多晶矽结构与该源极掺杂区之裸露表面，并施以一热制程，以形成一第一自对准金属矽化物层于该闸极多晶矽结构之表面与一第二自对准金属矽化物层于该源极掺杂区之表面；形成一介电结构于该闸极沟槽内，以覆盖该第一自对准金属矽化物层；以及形成一源极金属层于该介电结构与该第二自对准金属矽化物层上。