发明名称 |
包含具有整合式对准标记的晶粒密封的半导体装置 |
摘要 |
一种包含具有整合式对准标记的晶粒密封的半导体装置,在半导体装置中,用来实施测量工具及类似者的对准制程的对准标记可依据几何组构而位于该晶粒密封区域内,该几何组构仍可保存该晶粒密封的机械整合性,而不致于对编码进入该对准标记内的空间资讯妥协。举例来说,L形对准标记可设置在该晶粒密封区域的一个或更多个角落处。 |
申请公布号 |
TWI469247 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
申请号 |
TW101105208 |
申请日期 |
2012.02.17 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 美国;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司 德国 |
发明人 |
蓝贺 马提亚 |
分类号 |
H01L21/68;H01L21/58 |
主分类号 |
H01L21/68 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:半导体层,形成在基板上方并且包含复数个电路元件;金属化系统,形成在该半导体层上方,该金属化系统包含复数个金属化层;晶粒密封区域,定义在至少一个该复数个金属化层中并且划定晶粒区域,该晶粒密封区域包含邻近该晶粒区域的内边界及邻近框架区域的外边界,该内及外边界决定该晶粒密封区域的宽度;晶粒密封,形成在该至少一个该复数个金属化层中的该晶粒密封区域内;以及对准标记,形成在该晶粒密封区域内侧向地邻近一部分该晶粒密封,该对准标记包含第一伸长标记部分及第二伸长标记部分,该第一及第二标记部分各者的宽度均小于该晶粒密封的该部分的宽度,其中,该第一及第二伸长标记部分的该各者是位于邻近该晶粒密封区域的该外边界。 |
地址 |
德国 |