化学气相沉积（ＣＶＤ）之前驱动

摘要

本发明系关于一种藉由使双胺基矽杂环丁烷与选自供氮气体、供氧气体及其混合物之源气体之反应性气体混合物热聚合以制造含矽薄膜之方法。该等所沉积的薄膜可系氮化矽、碳氮化矽、二氧化矽或经碳掺杂之二氧化矽。此等薄膜系适用作半导体装置之电介质、钝化涂层、障壁涂层、间隔物、衬里及/或应力器。

主权项

一种用于在一基板上制造含矽薄膜之方法，其中该方法包括使包含双胺基矽杂环丁烷及选自供氮气体、供氧气体及其混合物之源气体的反应性气体混合物热聚合，其中该双胺基矽杂环丁烷系选自：其中R1、R2、R3、R4、R5及R6各独立选自氢或具有1至6个碳之单价烃基，且m及n的值为0至10。