半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供具有良好电特性及可靠性高的薄膜电晶体的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：在反交错型(底闸极结构)的薄膜电晶体中，使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源极电极层和汲极电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层。藉由在源极电极层和汲极电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

主权项

一种半导体装置，包括：薄膜电晶体，包括：闸极电极层；该闸极电极层上的闸极绝缘层；该闸极绝缘层上的半导体层；该半导体层上的第一缓冲层；该半导体层上的第二缓冲层；该第一缓冲层上的源极电极层；以及该第二缓冲层上的汲极电极层，其中，该半导体层是含有铟、镓及锌的氧化物半导体层，其中，该第一缓冲层和该第二缓冲层分别包括金属氧化物，其中，该第一缓冲层的端部在该源极电极层的端部的外侧，并且其中，该第二缓冲层的端部在该汲极电极层的端部的外侧。