发明名称 制造积体电路系统的方法
摘要 本发明提供用于制造积体电路系统的方法,其包括在一半导体基板中及上形成积体电路。蚀刻进入半导体基板正面的通孔以及用导电材料填充该通孔。提供有一载体晶圆,在其上具有一胶黏剂层以及在该胶黏剂层中形成一压印图案。用该带图案的胶黏剂层使该半导体基板的正面黏合至该载体晶圆。去除该半导体基板的背面的一部分以暴露该导电材料的一部分以及使该薄化的背面附着至第二基板。然后,使该半导体基板自该载体晶圆脱黏。
申请公布号 TWI469229 申请公布日期 2015.01.11
申请号 TW101126215 申请日期 2012.07.20
申请人 格罗方德半导体公司 美国 发明人 任明镇
分类号 H01L21/50 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种用于制造积体电路系统的方法,包含:在半导体基板中及上形成积体电路;蚀刻进入该半导体基板的正面的通孔;以导电材料填充该通孔;提供载体晶圆,在其上具有胶黏剂层;在该胶黏剂层中形成压印图案;以该图案化胶黏剂层将该半导体基板的该正面黏合至该载体晶圆;去除该半导体基板的背面的一部分,以暴露该导电材料的一部分;将该背面附着至第二基板;以及将该半导体基板自该载体晶圆脱黏。
地址 美国