| 发明名称 |
提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化 |
| 摘要 |
本发明提供一种制造半导体装置的方法，其开始于在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体(NMOS)电晶体结构。该方法继续在该NMOS电晶体结构上方形成光学反射层、在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层、以及藉由施加紫外线照射以固化该伸展应力诱发材料层。一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层，而一些该紫外线照射则藉由从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。 |
| 申请公布号 |
TWI469263 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
| 申请号 |
TW100124007 |
申请日期 |
2011.07.07 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 美国 |
发明人 |
瑞齐特 瑞夫;胡欣卡 托斯谭 |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，该方法包含：在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体(NMOS)电晶体结构；在该NMOS电晶体结构上方形成光学反射层；在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层；以及固化该伸展应力诱发材料层，其系藉由施加紫外线照射，使得一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层，并使得一些该紫外线照射则藉由从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层；其中，该伸展应力诱发材料层的形成包含沉积伸展电浆提高氮化物(TPEN)材料。 |
| 地址 |
美国 |
