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发明名称
使用气体群聚离子束形成记忆体单元之方法
摘要
本发明揭示一种可变电阻记忆体单元结构及一种形成其之方法。该方法包含:形成一第一电极、在该第一电极上方形成一绝缘材料、在该绝缘材料中形成一通孔以曝露该第一电极之一表面、使用气体群聚离子束在该通孔内形成一加热器材料、在该通孔内形成一可变电阻材料及形成一第二电极以使得在该第一与该第二电极之间提供该加热器材料及可变电阻材料。
申请公布号
TWI469268
申请公布日期
2015.01.11
申请号
TW099103368
申请日期
2010.02.04
申请人
美光科技公司 美国
发明人
史密斯 约翰
分类号
H01L21/8247;H01L27/115
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
一种形成一记忆体单元之方法,该方法包括:形成一第一电极;在该第一电极上形成一绝缘材料;在该绝缘材料中形成一通孔以曝露该第一电极之一表面;使用气体群聚离子束在该通孔内形成一加热器材料;在该通孔内形成一可变电阻材料;及在该可变电阻材料及加热器材料上形成一第二电极。
地址
美国
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