| 发明名称 |
具有覆盖层的离子布植基材及方法 |
| 摘要 |
在一离子植入方法中，基材放置于制程区，而离子植入基材之一区中以形成离子植入区。多孔覆盖层沈积于离子植入区上方。于退火制程期间，将基材退火以挥发至少百分之八十上覆于离子植入区之多孔覆盖层。中间产物包括基材、基材上之复数离子植入区、以及覆盖该等离子植入区之多孔覆盖层。 |
| 申请公布号 |
TWI469190 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
| 申请号 |
TW098146476 |
申请日期 |
2009.12.31 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
戴尔阿古亚伯尼奎尔杰西依葛那西欧;普恩兹;许瑞特尔坎波罗伯特;福德马吉德 |
| 分类号 |
H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种离子植入方法，其至少包含以下步骤：(a) 将离子植入基材之一区域内以形成一离子植入区；(b) 沈积一多孔覆盖层于该离子植入区上；以及(c) 于一退火制程期间，将基材退火，并使上覆于该离子植入区之之该多孔覆盖层的至少百分之八十挥发。 |
| 地址 |
美国 |
