| 发明名称 |
记忆体的程式化方法 |
| 摘要 |
一种记忆体的程式化方法。记忆体具有第一记忆胞，其具有第一S/D区并与第二记忆胞共用第二S/D区。第二记忆胞具有与第二S/D区相对的第三S/D区。在程式化第一记忆胞时，施加第一电压到第一记忆胞的控制闸极；施加第二电压到第二记忆胞的控制闸极，使第二记忆胞的通道区处于微开启状态；以及施加第三电压到第一S/D区，使第二S/D区浮置，施加第四电压到第三S/D区，且第三电压与第四电压使得载子从第三S/D区流至第一S/D区，以利用源极侧注入效应将载子注入第一记忆胞的电荷储存层。 |
| 申请公布号 |
TWI469147 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
| 申请号 |
TW100116292 |
申请日期 |
2011.05.10 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
蔡秉宏;黄竣祥;蔡文哲 |
| 分类号 |
G11C16/04 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种记忆体的程式化方法，该记忆体包括一第一记忆胞，该第一记忆胞具有一第一S/D区并与一第二记忆胞共用一第二S/D区，且该第二记忆胞具有与该第二S/D区相对的一第三S/D区，该方法包括：施加一第一电压到该第一记忆胞的一第一控制闸极；施加一第二电压到该第二记忆胞的一第二控制闸极，使该第二记忆胞的通道区处于微开启状态，其中该第二电压为接近该第二记忆胞的起始电压；以及施加一第三电压到该第一S/D区，将该第二S/D区浮置，施加一第四电压到该第三S/D区，使得载子从该第三S/D区流至该第一S/D区，以利用源极侧注入效应将载子注入该第一记忆胞的一电荷储存层。 |
| 地址 |
新竹市科学工业园区力行路16号 |
