发明名称 |
埋藏位元线及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种埋藏位元线及其制造方法,上述埋藏位元线的制造方法包括提供一基板;于上述基板中形成一沟槽;于上述沟槽的部分侧壁上形成一遮蔽层;于上述沟槽中形成一第一硬遮罩层,覆盖部分上述遮蔽层;移除未被上述第一硬遮罩层覆盖的上述遮蔽层,以暴露出上述沟槽的部分侧壁;移除上述第一硬遮罩层;于邻接上述沟槽暴露的侧壁的上述基板中形成一扩散区;于上述沟槽中形成一导电插塞,且覆盖上述扩散区的侧壁。 |
申请公布号 |
TWI469299 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
申请号 |
TW098138966 |
申请日期 |
2009.11.17 |
申请人 |
台湾创新记忆体股份有限公司 新竹市科学园区笃行一路8号 |
发明人 |
林永昌;戎乐天 |
分类号 |
H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
一种埋藏位元线,设置于一基板的具有彼此相对之一第一侧壁和一第二侧壁的一沟槽中,包括:一顶部绝缘垫层,从该基板的一表面向下延伸覆盖该沟槽上部的该第一和第二侧壁;一底部绝缘垫层,覆盖该沟槽下部的该第一和第二侧壁和该沟槽的一底面,其中该第一侧壁的第一单一部分和开该第二侧壁的第二单一部分从该顶部绝缘垫层和该底部绝缘垫层暴露出来;单一扩散源层,仅形成于该沟槽中的该第一侧壁的该第一单一部分上,其中该单一扩散源层的一顶面和一底面分别连接该顶部绝缘垫层和该底部绝缘垫层;单一扩散区,形成于该基板的该表面下方,且邻接该单一扩散源层;单一遮蔽层,形成于该沟槽的该第二侧壁的该第二单一部分上;以及一导电插塞,形成于该沟槽中,且覆盖该单一扩散区和该单一遮蔽层的侧壁。 |
地址 |
新竹市科学园区笃行一路8号 |