发明名称 时脉控制电路及具有该时脉控制电路之半导体记忆装置
摘要 一种时脉控制电路包括:一时脉延迟装置、一边缘侦测装置、一相位决定装置以及一延迟控制装置。该时脉延迟装置系藉由延迟一上升时脉及下降时脉产生一延迟上升时脉及一延迟下降时脉,其系由时脉产生电路所移转,以回应一控制信号,且传送该延迟上升时脉及延迟下降时脉至一资料输出缓冲。该边缘侦测装置侦测延迟上升时脉的边缘时序及延迟下降时脉的边缘时序之间的差异,以产生边缘侦测信号。该相位决定装置侦测每一边缘侦测信号的工作比,以产生相位决定信号。该延迟控制装置产生控制信号,以回应相位决定信号。
申请公布号 TWI469156 申请公布日期 2015.01.11
申请号 TW098108675 申请日期 2009.03.17
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 金宽东
分类号 G11C8/18 主分类号 G11C8/18
代理机构 代理人 赖安国 台北市信义区东兴路37号9楼;李政宪 新北市板桥区文化路1段285巷2弄52号
主权项 一种时脉控制电路,其包含:一时脉延迟装置,其配置以藉由延迟一上升时脉及一下降时脉产生一延迟上升时脉及一延迟下降时脉,其系由时脉产生电路所传送,以回应一控制信号,并传输该延迟上升时脉及该延迟下降时脉至一资料输出缓冲;一边缘侦测装置,其配置以侦测延迟上升时脉的边缘时序及延迟下降时脉的边缘时序之间的差异,以产生复数边缘侦测信号;一相位决定装置,其配置以侦测每一边缘侦测信号的工作比,以产生复数相位决定信号;以及一延迟控制装置,其配置以产生控制信号,以回应该等相位决定信号,其中,该时脉延迟装置包含:一第一时脉延迟装置,其配置以藉由延迟该上升时脉产生该延迟上升时脉,以回应该控制信号;以及一第二时脉延迟装置,其配置以藉由延迟该下降时脉产生该延迟下降时脉,以回应该控制信号。
地址 南韩