发明名称 反熔丝元件及用于控制破裂位置之电气冗余反熔丝阵列
摘要 一种反熔丝元件(102)具有定位于一主动区域(106)或底部电极正上方之闸极(104)的端角(120,122)。该闸极(104)及该主动区域(106)间的最小程控电压透过一定位于其间之绝缘层(110)产生一电流路径。该闸极(104)之端角(120,122)所产生的高电场导致该等端角(120,122)正下方位置之绝缘层(110)的击穿及破裂。这种局部位于该等端脚(120,122)之绝缘层(110)提供较低的后程控电阻及变化,且能以一较低的程控功率快速的程控。该反熔丝元件(102)当其整合成一阵列(300,320,400,550)时,其将提供增加的包装密度。该阵列经制造后将包括用于个别反熔丝元件(302)程控之多数个主动区域(304)或用于多元件程控之一共用主动区域(324,405,426,506)。
申请公布号 TWI469339 申请公布日期 2015.01.11
申请号 TW095106399 申请日期 2006.02.24
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 明万吉;罗伯W 贝尔德;左姜凯;高登P 李
分类号 H01L29/00 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种反熔丝元件包含:一基板材料,其具有一在一最上层表面中形成之主动区域;一闸极,其具有一定位于该主动区域上之外部周界端角;及一绝缘层,其配置在该闸极及该主动区域之间,使得该闸极与该主动区域之间之一电压透过该绝缘层产生一电流路径及一电场,该电场在定位于该主动区域上方之该闸极的该外部周界端角处,使得该绝缘层在该闸极之该外部周界端角下方的位置产生一破裂。
地址 美国