具表面粗化结构之发光二极体及其制备方法

摘要

本发明系关于一种新颖之发光二极体及其制备方法，其中该新颖之发光二极体包括：一基板；一磊晶结构层，系位于该基板上，该磊晶结构层包括第一电性半导体层、活性层及第二电性半导体层；复数个柱状光阻微透镜结构，系位于第二电性半导体层上，其中该些柱状光阻微透镜结构分别包括一柱部及一凸微透镜部；一第一电极层，系与第一电性半导体层电性导通；以及一第二电极层，系与第二电性半导体层电性导通。据此，本发明可于元件表面形成新颖之粗化结构，以大幅提高元件效能及侧向发光效果。

主权项

一种具表面粗化结构之发光二极体制备方法，包括：提供一磊晶元件，其包括：一基板；一磊晶结构层，系位于该基板上，其中该磊晶结构层包括一第一电性半导体层、一活性层及一第二电性半导体层，该活性层系位于该第一电性半导体层与该第二电性半导体层之间，而该第一电性半导体层系位于该活性层与该基板之间；以及一第一电极层，系与该第一电性半导体层电性导通；以及形成一第二电极层及复数个柱状光阻微透镜结构于该第二电性半导体层上，其中该些柱状光阻微透镜结构之形成步骤包括：形成复数个光阻柱于该第二电性半导体层上；使复数个光阻液滴分别沾附于该些光阻柱之顶部；以及固化该些光阻液滴，以形成复数个包括一柱部及一凸微透镜部之柱状光阻微透镜结构，其中该凸微透镜部系位于该柱部之顶端。