发明名称 薄膜电晶体及其制造方法
摘要 一种薄膜电晶体及其制造方法。薄膜电晶体包括通道层、欧姆接触层、介电层、源极、汲极、闸极及闸绝缘层。通道层具有上表面以及侧面。欧姆接触层配置于通道层之上表面的部分区域上。介电层配置于通道层之侧面上,且介电层与欧姆接触层不重叠。源极及汲极配置于欧姆接触层及介电层的部分区域上,而介电层的部分区域未被源极及汲极所覆盖。闸极位于通道层上方或下方。闸绝缘层配置于闸极与通道层之间。
申请公布号 TWI469356 申请公布日期 2015.01.11
申请号 TW099106133 申请日期 2010.03.03
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 沈光仁;陈培铭;陈俊雄;黄伟明
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种薄膜电晶体的制造方法,包括:于一基板上形成一闸极;于该基板上形成一闸绝缘层,以覆盖该闸极;于该闸绝缘层上依序形成一通道材料层、一欧姆接触材料层及一图案化光阻层,其中该图案化光阻层位于该闸极上方;以该图案化光阻层为罩幕,图案化该通道材料层及该欧姆接触材料层,以形成一通道层及一位于该通道层与该图案化光阻层之间的欧姆接触层;于该图案化光阻层、该通道层之侧面、该欧姆接触层之侧面及该闸绝缘层上形成一介电层,其中该通道层具有一梯形截面,且该介电层位于该梯形截面之侧边上;移除该图案化光阻层及与该图案化光阻层接触的部分该介电层,以使该欧姆接触层被暴露;以及于部分该介电层及部分该欧姆接触层上形成一源极及一汲极,并将未被该源极及该汲极覆盖之该欧姆接触层移除。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号