发明名称 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ
摘要 Полупроводниковый преобразователь давления со схемой термокомпенсации, содержащий полупроводниковый кристалл, вырезанный в виде пластины, являющейся стенкой полости с измеряемым давлением, при этом в пластине выполнена тонкостенная диафрагма, в которой сформированы четыре тензорезистора измерительной мостовой схемы, а схема термокомпенсации выполнена в виде двухполюсника, включенного последовательно в цепь питания мостовой схемы и содержащего биполярный транзистор, выводы эмиттер и коллектор которого являются выходами двухполюсника, а также два тонкопленочных резистора, подключенных первыми выводами к базе транзистора, а вторыми выводами соответственно к его эмиттеру и коллектору, причем тонкопленочные резисторы выполнены из материала с малым температурным коэффициентом сопротивления, отличающийся тем, что на полупроводниковом кристалле, вне тонкостенной диафрагмы, расположены дополнительный тензорезистивный мост, идентичный основному измерительному мосту, и резистор с высоким температурным коэффициентом сопротивления, имеющий отдельные от общей схемы выводы, а полупроводниковый кристалл расположен на подставке, состоящей из стеклянной подложки и полой цилиндрической металлической подставки с наружной резьбой, изготовленные из материалов с одинаковыми коэффициентами теплового расширения.
申请公布号 RU2013130312(A) 申请公布日期 2015.01.10
申请号 RU20130130312 申请日期 2013.07.03
申请人 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" 发明人 Шахнов Вадим Анатольевич;Андреев Константин Александрович;Тиняков Юрий Николаевич;Власов Андрей Игоревич;Токарев Сергей Владимирович;Цивинская Татьяна Анатольевна;Цыганков Виктор Юрьевич
分类号 G01L9/00 主分类号 G01L9/00
代理机构 代理人
主权项
地址